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常用霍爾元件的材料有鍺、硅、砷化甸、銻化甸等半導體材料。其中N型鍺容易加工制造，其霍爾系數、溫度性能和線性度都較好。N型硅的線性度最好，相比光電開關參數有很大差異，而霍爾元件是其霍爾系數、溫度性能與N型鍺相近。銻化甸對溫度最敏感，尤其在低溫范圍內溫度系數大，但在室溫時其霍爾系數較大。砷化甸的霍爾系數較小，溫度系數也較小，輸出特性線性度好。

　　霍爾元件的主要參數：

　　1、額定激勵電流和最大允許激勵電流：

　　在給霍爾元件加激勵電流時，霍爾元件的溫度升高10度，此時的激勵電流稱為額定激勵電流，用符號1C表示。當激勵電流增大時，霍爾電壓也會隨著增大。為了獲得較大的霍爾電壓，在應用中會采用較大的激勵電流，但是激勵電流過大，霍爾元件的功耗就會增大，霍爾元件的溫度升高，會引起霍爾電壓的溫度漂移增大，影響測量精度，因此各種型號的霍爾元件都規(guī)定了對應的最大激勵電流IM，它的數值從幾毫安至十幾毫安不等。

　　2、輸入電阻和輸出電阻：

　　霍爾元件兩個激勵電端的電阻被稱為輸入電阻RI，兩個霍爾電壓輸出端子之間的電阻被稱為輸出電阻RO。不同類型的霍爾元件，輸入電阻和輸出電阻的阻值一般從幾十歐姆到幾百歐姆不等。

　　3、不等位電動勢和不等位電阻：

　　不等位電動勢是指沒有外加磁場時，霍爾元件在額定激勵電流的作用下，霍爾元件輸出的開路電壓，一般用符號UM表示，產生這一現象的原因有：

　　A：霍爾電極安裝位置不對稱或不在同一等電位面上;

　　B：半導體材料不均勻造成了電阻率不均勻或是幾何尺寸不均勻;

　　C：激勵電極接觸不良造成激勵電流不均勻分布等。

　　4、寄生直流電動勢：

　　當外加磁場為零時，給霍爾元件通上交流電流，霍爾電極端子會輸出一個寄生直流電動勢，是由控制電極和基片之間的非完全歐姆接觸所產生的整流效應造成的。

　　5、霍爾電壓的溫度系數：

　　霍爾電壓的溫度系數A是指在一定磁感應強度和一定的控制電下，溫度每變化1度時，霍爾電壓產生的變化率。