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硅諧振式壓力微光電開(kāi)關(guān)傳感器
 
錄入時(shí)間:2014-11-16 11:36:50瀏覽次數(shù):1
 

諧振式壓力微光電開(kāi)關(guān)傳感器利用壓力變化來(lái)改變揩振器的揩振頻率,從而通過(guò)測(cè)量頻率變化來(lái)間接測(cè)量壓力,其中諧振器一微諧振酒仙橋的激勵(lì)大多采用熱激歷或靜電激勵(lì)方式。

  振動(dòng)的激勵(lì)方式可采用靜電激勵(lì)或電熱激勵(lì),拾振用壓阻,整個(gè)壓力敏感無(wú)件由單晶硅壓力膜和單晶硅梁揩振器組成。二者通過(guò)硅一硅鍵合成一個(gè)整體,梁緊貼膜片,其間只留空隙,供梁振動(dòng),硅梁封裝于真空或非真空之 中,硅膜另一邊接待測(cè)壓力源,膜四周與管座剛性連接,可近似為四邊固支矩形膜,當(dāng)壓力作用于壓力膜時(shí),膜兩側(cè)存在壓差,膜感受均布?jí)毫l(fā)生變形,膜內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力,與膜緊貼的梁會(huì)感覺(jué)軸向應(yīng)力以及外加壓力三者之間有很好的線性關(guān)系,因此,通過(guò)檢測(cè)梁的固有揩振頻率,可達(dá)到檢測(cè)壓力的目的。

  這種諧振梁一敏感膜片分體結(jié)構(gòu)的壓力微傳感器的制作需要用到關(guān)鍵技術(shù)包括包括雙面光刻技術(shù),腐蝕技術(shù)生長(zhǎng)厚約10um的富硅氮化硅技術(shù),多孔硅犧牲層技術(shù)以及硅一硅鍵合技術(shù),其以低應(yīng)力厚氮化硅雙端固支梁作為諧振器。


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